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新型抗返卤泛霜菱镁大棚骨架的配方及加工工艺专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 一种复合材料制品的配方及加工工艺,特别是一种新型抗返卤泛霜菱镁大棚 骨架的配方及加工工艺,其特征在于:它的组方配比(重量%)是:含氧化镁85% 的工艺品级氧化镁58%;含氯化镁56%的工艺品级氯化镁21.6%;聚乙烯醇2%, 有机硅憎水剂0.6-1.6%,玻璃纤维网格布5目以下、中减适量;水17.5%。本 发明采用有机硅憎水剂取代硫酸镁吸湿作用后抑制菱镁制品返卤泛霜保护液的 复杂配方和工艺,简化了工艺,降低了成本。有机硅憎水剂可以在菱镁水泥制品 的内部的空隙表面和毛细管内表面和产品表面形成很薄的憎水薄膜。该薄膜又可 与空气中的二氧化碳作用形成憎水性更强的碳化膜,大提高了产品的质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京玉佳明三态离子科学研究院有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016北京市朝阳区芳园里甲13楼2单元36号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810119144.3 【申请日】2008-08-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101659536A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【发明人】仇锦明; 仇剑锋; 仇剑梅; 焦清华 【主权项内容】1.一种复合材料制品的配方及加工工艺,特别是一种新型抗返卤泛霜菱镁大棚 骨架的配方及加工工艺,其特征在于:它的组方配比(重量%)是: 含氧化镁85%的工艺品级氧化镁58%;含氯化镁56%的工艺品级氯化镁 21.6%;聚乙烯醇2%,有机硅憎水剂0.6-1.6%,玻璃纤维网格布5目以下、 中减适量;水17.5%。 【当前权利人】北京玉佳明三态离子科学研究院有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区芳园里甲13楼2单元36号 【专利权人类型】有限责任公司 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE

  • 【摘要】飞秒激光脉冲自相关测试仪及其方法属于光电子领域。目前产品光学设 计和调节过程复杂,体积大且价格昂贵,本发明依次包括:两片对于待测激 光为透明且厚度在毫米量级的相同的片状材料(FS1),(FS2)、凹面反射 镜(CM1)、非线性晶体(
  • 【摘要】燃料电池催化剂的制备方法属于催化剂领域。用CNT做载体,在硫酸镍和氯铂酸溶液中加入次亚磷酸钠,控制溶液的pH值和溶液温度,次亚磷酸钠水解释放出P,并且次亚磷酸钠自还原产生的P与还原出来的Pt,Ni三者形成合金固溶体,Ni的加入使催化
  • 【摘要】本发明涉及一种用于单效太阳能吸收式制冷系统的双室涡旋发生器,属 于制冷技术领域。双室涡旋发生器包括有低压发生室和高压发生室。流体被 外界热源加热到一定温度后,通过与低压发生室相切的喷嘴进入到发生器中, 产生旋流运动,有效降低发生器内
  • 【摘要】本发明涉及信息检索、自然语言问答系统,自然语言处理领域,特别是涉及一种基于问答库的自然语言问答系统。本发明的目的在于提供一种让问答系统对话上下文具有连贯性的方法,叫做基于多层流程图组织对话语料的自然语言问答方法,其特点是使用多层流程
  • 【摘要】本发明公开了一种可视电话的实现方法,包括:通话模式设置步骤,在移动终端上设置文字与图像通话模式;音频控制步骤,当可视电话启动时,移动终端关闭本地音频设备,并发送音频关闭消息通知通信对端关闭对端音频设备;视频控制步骤,当可视电话启动后
  • 【摘要】本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法,该方法包括:在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路;在电源线环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻;将集成电路芯片的一个或多个与芯片内部电源线相连的地方引线到电源线环路上;