【摘要】 本发明公开了一种反应腔室及半导体加工设备，反应腔室中，下电极盒体通过多条通道支撑在腔室壁上，下电极盒体的内部空腔通过多条通道与反应腔室的外部相通；多条通道绕反应腔室的纵向轴线周向均匀分布；腔室壁的下部设有抽气口。一方面，在抽气气路上形成中心对称的分布结构，使气流分布均匀；另一方面，可以通过多条通道设置各种气体管路、电气线路、冷却管路以及射频线路等，结构简单、布置灵活。可用于各种不同的半导体等离子体处理加工过程，如刻蚀、沉积等。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227439.2 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740340A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740340B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01J37/32 【发明人】张风港 【主权项内容】一种反应腔室，包括腔室壁，该反应腔室的内部空腔中设有下电极盒体，其特征在于，所述下电极盒体通过多条通道支撑在所述腔室壁上，所述下电极盒体的内部空腔通过所述通道与该反应腔室的外部相通；所述多条通道绕该反应腔室的纵向轴线周向均匀分布；所述腔室壁的下部设有抽气口。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】20 【被自引次数】5.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】20
