【摘要】 本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240084.0 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752507A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752507B 【授权公告日】2012-03-28 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；步骤3、在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；步骤5、旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；步骤6、干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
