【摘要】 本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明，实现了零极点型高阶滤波器，降低了功耗。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226686.0 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101741346A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101741346B 【授权公告日】2012-06-20 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H03H11/04; H03H11/12 【发明人】陈勇; 周玉梅; 卫宝跃 【主权项内容】一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，其特征在于，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电，形成第一级积分单元；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电，形成第二级积分单元；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
