【摘要】 本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域的一种集成电路版图结构及其制造方法。为了解决现有技术中化学机械研磨后集成电路版图细线区铜金属残留的问题，本发明提供一种集成电路版图结构及其制备方法，通过增加细线区线间距，使细线区的铜生长厚度下降，不同结构铜生长比较均匀，从而减轻了化学机械研磨的负担，提高平坦化能力，避免细线区产生的热点问题，提高了产品的良率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810224782.1 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447473B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447473B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/522; G06F17/50 【发明人】阮文彪; 陈岚; 李志刚 【主权项内容】一种集成电路版图结构，包括铜线、介质层和阻挡层，其特征在于：所述版图的细线区铜线宽度小于0.2微米，细线区介质层线间距为铜线宽度的2～4倍，所述铜线面积占版图总面积的20～30％。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族被引证次数】1
