【摘要】 一种水滑石前驱法制备硅基体多孔铁氧体薄膜的制备方法，属于金属氧化物薄膜制备技术领域。先将磺化处理后的硅基体与盐离子溶液充分接触，然后将附有盐离子的硅基体转入到聚四氟乙烯内胆的高压反应釜中水热合成晶化，生成均匀致密的水滑石前躯体薄膜；再将此薄膜高温焙烧使其转化为尖晶石型铁氧体和金属氧化物的复合薄膜，最后将其中的金属氧化物选择性去除后得到多孔的铁氧体薄膜。其优点在于：磁性薄膜磁畴结构均一，大大提高了其磁学性能；达到控制得到不同磁学性能的多孔铁氧体薄膜的目的；该方法操作简单、制备成本和能耗低，有利于工业化应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京化工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北三环东路15号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810102260.4 【申请日】2008-03-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101244931B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101244931B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/26; C04B38/00; C04B35/622 【发明人】李锋; 范珺; 范国利; 邹鲁; 项顼 【主权项内容】一种在硅基体表面利用水滑石前驱法生长多孔铁氧体薄膜的制备方法，其制备步骤如下：A.将洗净单晶硅基体浸入浓硫酸中浸泡5～7天，进行基体的磺化处理后，取出用去离子水冲净待用；B.用去离子水配制含有二价金属离子M2+和三价金属离子M3+的混合盐溶液，其中[M2+]/[M3+]＝1～6，且各种金属离子的总摩尔浓度为0.1～1.2M；其中M2+为Mg2+、Zn2+、Ni2+中的一种，或混合盐溶液中含有Fe2+；M3+为Fe3+；盐混合溶液中的酸根离子为NO3-或SO42-中的任意一种或两种；C.将磺化基体浸入配好的盐溶液中浸泡50～70分钟，然后将硅基体和可溶性盐溶液一同倒入三口瓶中，用摩尔浓度为1.2～2M的氢氧化钠溶液进行滴定并伴有搅拌，控制pH为7～10，得到含有水滑石前躯体原浆液；D.将上述原浆液和硅基体一同转入到聚四氟乙烯内胆的高压反应釜中，在静置状态下于60-180℃水热晶化12-72小时，之后自然冷却至室温；去离子水冲洗，于40～70℃下干燥12～24小时，在硅基体上得到水滑石前躯体薄膜；E.将以上薄膜以2～10℃/min的速率升温至500～900℃后保温2-12h，得到尖晶石型铁氧体和金属氧化物的复合薄膜；F.将以上复合薄膜浸入溶蚀溶液中进行选择性溶蚀，之后去离子水冲洗，于60～75℃下干燥12～24小时，在硅基体上得到多孔的铁氧体薄膜。 【当前权利人】北京化工大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北三环东路15号 【统一社会信用代码】1210000040000182XD 【引证次数】2.0 【自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5
