【摘要】 本发明公开了一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法。该方法在电极和栅介质层之间加一层真空蒸镀的有机半导体材料。这层半导体材料减小了下电极与有机半导体层材料之间的接触效应从而提高的性能。这层有机半导体材料可以就是有源层材料也可以是类似的有机半导体材料。它们之间的功函数接近，且电极与有源层的接触改变成一种顶电极接触方式，有效注入面积更大。利用本发明，实现了使用传统光刻工艺制作出具有顶电极结构性能的有机场效应晶体管。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240082.1 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752505A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752505B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到过渡层的胶图形；步骤3、对过渡层的胶图形进行显影后真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤4、剥离后涂胶再套刻得到底电极图形；步骤5、再通过电子束蒸发在底电极图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤6、用丙酮剥离掉光刻胶后得到带过渡层的底电极图形；步骤7、真空蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】3.0
