【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中方法包括：步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和阻挡薄膜，通过第二次构图工艺形成半导体层和阻挡层的图形，该阻挡层用于阻止半导体层被刻蚀；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触薄膜、透明导电薄膜、源漏金属薄膜和钝化薄膜，通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极、TFT沟道、数据线、像素电极和钝化层的图形。本发明采用三次构图工艺，通过在半导体层和欧姆接触层之间夹设阻挡层，能够减小半导体层的厚度，减小TFT的关态电流，提高TFT的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810241197.2 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770121A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770121B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】刘翔 【主权项内容】一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的半导体层与欧姆接触层之间设置有阻止半导体层被刻蚀的阻挡层。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】18 【被自引次数】12.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】20
