【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括栅线、 数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与栅线 连接的栅电极和与数据线连接的源电极，所述栅电极上形成有至少一个过孔 或所述栅电极的至少一侧形成有过槽，所述过孔或过槽内填充有分别与所述 像素电极和源电极连接的半导体层。本发明改变了现有技术中普遍采用的“平 面型”TFT结构，变平面结构为空间结构，具有结构简捷紧凑、参数特性好 以及制造工艺简单等特点，不仅实现了增大开启电流的效果，对于其它电性 参数亦有一定的改善，并且其空间结构缩小了平面尺寸，增大了空间利用率， 进而增大了开口率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810116186.1 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620350A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620350B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L29/786; H01L21/84 【发明人】高浩然; 申伟; 刘华 【主权项内容】1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管， 其特征在于，所述薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极和与数据线连接的源 电极，所述栅电极上形成有至少一个过孔或所述栅电极的至少一侧形成有过 槽，所述过孔或过槽内填充有分别与所述像素电极和源电极连接的半导体层。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】12 【被自引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】12
