【摘要】 本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有应力的氮化硅层，使所述多晶硅层具有相应的应力；去除所述氮化硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为拉应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。本发明还公开了一种半导体器件栅极的调整方法。应用本发明可以灵活准确地形成具有垂直侧壁、底部为足部或者缺角的栅极。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224594.9 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728253A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/66; H01L21/02 【发明人】张海洋; 杜珊珊 【主权项内容】一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅氧化层之后，其特征在于，该方法还包括以下步骤：在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有应力的氮化硅层，使所述多晶硅层具有相应的应力；去除所述氮化硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为拉应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。。： 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
