【摘要】 本发明提供了一种光刻图案的形成方法，包括：提供半导体基底，所述基底至少包括低温氧化物层；对所述低温氧化物层的表面进行钝化处理；在钝化处理后的低温氧化物层上旋涂光致抗蚀剂；图形化所述光致抗蚀剂，形成光刻图案。本发明还提供了一种双镶嵌结构的制造方法。本发明提供的光刻图案的形成方法能够解决低温氧化物层在光刻工艺中与光致抗蚀剂反应，生成难去除的残留物的问题，从而改善光刻图案的准确性，提高关键尺寸的均匀度。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810113692.5 【申请日】2008-05-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593689B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593689B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/3105; H01L21/312; H01L21/027; H01L21/311; H01L21/768 【发明人】蔡明; 赵简 【主权项内容】一种光刻图案的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述基底上至少包括低温氧化物层；对所述低温氧化物层的表面进行钝化处理；在钝化处理后的低温氧化物层上旋涂光致抗蚀剂；图形化所述光致抗蚀剂，形成光刻图案；其中，所述钝化处理采用一氧化二氮的等离子体轰击低温氧化物层的表面，所述一氧化二氮的流量为3000sccm至200000sccm，产生所述一氧化二氮等离子体的激励源的功率为500W至1000W，等离子腔室的压力为1T至3T，处理时间为10s至60s。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】27
