【摘要】 本发明公开了一种稳定栅氧化层电学厚度的方法，其特征在于，该方法包 括：在浅沟槽隔离工艺中去除氮化硅的步骤与生长栅氧化层的步骤之间的任意 步骤之前或之后，对圆片进行紫外光处理。本发明减少了衬底中氢的浓度，稳 定了后续生长栅氧化层时的氧化率，进一步稳定了栅氧化层的电学厚度，提高 了工艺稳定性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222114.5 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673662A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/31; H01L21/02 【发明人】刘明源; 刘乒 【主权项内容】1、一种稳定栅氧化层电学厚度的方法，其特征在于，该方法包括： 在浅沟槽隔离工艺中去除氮化硅的步骤与生长栅氧化层的步骤之间的任意 步骤之前或之后，对圆片进行紫外光处理。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
