【摘要】 一种双边缘抗总剂量辐射加固版图结构，所述的版图结构包括衬底、有源区、注入区、栅，在衬底上形成有源区和注入区，有源区和注入区的重叠区域形成源区和漏区，栅采用两边超出有源区的双边缘结构，并将源区和漏区分隔开，注入区在有源区的内部，保证源区和漏区之间存在薄氧化物，消除了源区和漏区之间完全由厚氧化物构成的通路。本发明解决了由电离辐射总剂量效应引起的寄生漏电问题，同时解决了传统闭合栅加固结构带来面积大，对称性不好，难以实现小宽长比，以及难以建模等问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】丰台区 【申请号】CN200810238953.6 【申请日】2008-12-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431104B 【公开公告日】2010-07-14 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431104B 【授权公告日】2010-07-14 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423 【发明人】岳素格; 王亮; 边强; 赵元富 【主权项内容】一种双边缘抗总剂量辐射加固版图结构，其特征在于：所述的版图结构(41)包括衬底(42)、有源区(43)、注入区(411)、栅(46)，在衬底(42)上形成有源区(43)和注入区(411)，有源区(43)和注入区(411)的重叠区域形成源区(44)和漏区(45)，所述的栅(46)采用两边超出有源区(43)的双边缘结构，并将源区(44)和漏区(45)分隔开，注入区(411)在有源区(43)的内部，保证源区(44)和漏区(45)之间存在薄氧化物，消除源区(44)和漏区(45)之间完全由厚氧化物构成的通路；所述的有源区(43)对注入区(411)的最小覆盖长度值L1(47)满足L1≥L10，其中，L10为标准工艺设计规则中注入区对有源区的最小覆盖长度值；所述的栅(46)超出有源区(43)的最小长度值L2(48)满足L2≥L20，其中，L20为标准工艺设计规则中栅超出有源区的最小长度值；所述的版图结构(41)构成的MOS晶体管的沟道长度L由源区(44)和漏区(45)之间的距离(49)决定，其沟道宽度W由源区(44)与栅(46)的相交线的长度(410)决定；所述的源区(44)和漏区(45)可以互换。 【当前权利人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【当前专利权人地址】北京市丰台区东高地四营门北路2号; 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110000781701976T 【家族被引证次数】7
