【摘要】 。本发明涉及的是一种纳米材料技术领域的用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法，步骤包括：对CNT和CNF进行预处理，将其切短、纯化及表面改性；将CNT或CNF分散在锌电镀基础镀液中；运用复合共沉积方法沉积锌基碳纳米管复合薄膜和锌基碳纳米纤维复合薄膜；采用磨光、抛光工艺整平复合薄膜；使用刻蚀剂对复合薄膜进行化学刻蚀；在刻蚀面上沉积一层铜铬电镀种子层；电镀所需要的基体金属(镍，银，金，铜等)；用稀盐酸Zn，形成CNT或CNF一部分根植在金属基体中，其余部分暴露在外，均匀分布在电极表层的“植布”效果。本发明可以用于制备高性能场发射器件。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810201249.3 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101369504B 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101369504B 【授权公告日】2010-06-30 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01J9/02 【发明人】丁桂甫; 诸利达; 姚锦元; 王艳; 邓敏 【主权项内容】一种用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法，其特征是，包括步骤如下：第一步，首先对碳纳米管或碳纳米纤维进行预处理，包括将其敏化、切短和纯化；第二步，然后将预处理后的碳纳米管或碳纳米纤维分散在电镀锌基础镀液中；第三步，接着电镀沉积锌基碳纳米管或锌基碳纳米纤维复合薄膜，制备出碳纳米管或碳纳米纤维分布均匀的复合薄膜；第四步，将复合薄膜磨平抛光；第五步，再对整平后的复合薄膜表层金属进行均匀地化学刻蚀，控制刻蚀深度，使表层碳纳米管或碳纳米纤维向外的一端暴露在锌基之外，向内的根部仍然保留在锌基中；第六步，在刻蚀过的复合薄膜上溅射一层铜铬电镀种子层；第七步，电镀所需的作为场发射阴极基体的金属；第八步，去掉锌基，得到碳纳米管或碳纳米纤维一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属基碳纳米管复合微结构。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5
