【摘要】 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气流量，氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的，稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片，然后结合相关的刻蚀手段即可实现硅片表面局部重扩散和轻扩散的目的。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】200436 上海市闸北区江场三路36号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】静安区 【申请号】CN200810207488.X 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447529B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447529B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】郝江波; 李静; 周鹏宇 【主权项内容】一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)进舟：把装载硅片的石英舟推进扩氧化炉管中；(2)温度稳定：使氧化炉管内的温度完全稳定到860～920摄氏度这个范围内；(3)氧化过程：把水蒸汽通过小流量的氮气或氢气和氧气或三氯乙烷带入氧化炉管进行氧化工艺，其中氮气或氢气和氧气或三氯乙烷的流量控制在2900～3500立方厘米/分钟；(4)氧化过程完成后稳定过程：使得接下来退舟高温环境更稳定，其中温度设定在860～920摄氏度之间；(5)退舟：把装载氧化后硅片的石英舟从氧化炉管中退出。。 【当前权利人】上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 【当前专利权人地址】上海市闸北区江场三路36号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】9131000066240053XC 【家族被引证次数】28
