【摘要】 本发明公开了一种带隧穿氧化层的存储器器件制备中隧穿氧化层的制备方法，其通过使用可显影的抗反射层取代现有工艺中的普通抗反射层，使制造工艺大幅度简化，降低成本。同时由于无干法刻蚀过程，对于光刻胶的厚度无要求，因此可以大大降低所使用的光刻胶厚度，降低后续湿法刻蚀时隧穿氧化层的高宽比，提高湿法工艺对小尺寸的隧穿氧化孔的刻蚀能力。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043733.8 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661879B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661879B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336 【发明人】王雷 【主权项内容】一种带隧穿氧化层的存储器器件制备中隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)衬底氧化生成第一层氧化层；2)在第一层氧化层上淀积可显影的抗反射材料作为衬底抗反射层；3)涂光刻胶，光刻显影后，隧穿氧化层区域的光刻胶和抗反射层被去除；4)湿法刻蚀第一层氧化层至衬底去除所述隧穿氧化层区域的第一层氧化层，后去除剩余的光刻胶和可显影的抗反射层；5)进行第二次氧化处理，形成栅氧化层，且在所述隧穿氧化层区域生成隧穿氧化层。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
