【摘要】 一种CMOS图像传感器及其成像方法。所述CMOS图像传感器包括像素单元，所述像素单元中包括用于产生光电流的光敏二极管，所述光敏二极管中PN结的结深对应于第一原色光在所述PN结中的吸收深度；在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。所述CMOS图像传感器节约了工艺成本，提高了工艺良率，且对于各个波长的光都具有更好的吸收效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810205380.7 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771800A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H04N3/15; H01L27/146 【发明人】罗文哲; 欧阳雄; 杨建平; 朱虹 【主权项内容】一种CMOS图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括用于产生光电流的光敏二极管，其特征在于，所述光敏二极管中PN结的结深对应于三原色光中任意一种在所述PN结中的吸收深度；在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】7
