【摘要】 本发明涉及双极晶体管及其制造方法。其中，双极晶体管的制造方法包括步骤：提供半导体衬底；对所述的第一半导体材料层进行离子注入；刻蚀所述第一半导体材料层和埋入电介质层，形成半导体材料柱和电介质支撑柱；去除所述电介质支撑柱的中段；在所述衬底上沉积金属层至至少掩埋所述半导体材料柱；刻蚀所述金属层，形成金属基极；对半导体材料柱两端的暴露部分进行垂直轻掺杂；对半导体材料柱的暴露部分进行倾斜重掺杂。本发明对发射区和集电区先进行垂直轻掺杂再进行倾斜重掺杂，可以一次性形成与基区接触的重掺杂的发射区，以及在基区和重掺杂的集电区之间的轻掺杂的缓冲区，从而可以通过控制重掺杂角度来控制发射区和集电区之间的击穿电压。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810203811.6 【申请日】2008-12-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752413A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752413B 【授权公告日】2012-03-07 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/73; H01L29/06; H01L21/331; H01L29/66; H01L21/02; H01L29/02 【发明人】肖德元; 季明华 【主权项内容】一种双极晶体管，包括形成在半导体衬底上的基区、发射区和集电区，以及由金属形成的与基区接触的基极，其特征在于：所述基极内设有通孔，所述基区至少部分位于所述通孔内；所述集电区和基区之间还包括缓冲区，所述缓冲区的掺杂类型与集电区相同，但掺杂浓度小于集电区；所述缓冲区与集电区之间的界面以及所述发射区与基区的界面在平行于基区长度方向的平面内倾斜于所述半导体衬底表面。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
