【摘要】 一种CMOS图像传感器的芯片级封装结构及封装方法。其中CMOS图像传感器的芯片级封装结构包括光电转换层，位于光电转换层上的像素元件阵列，位于光电转换层上分隔像素元件阵列的连接层，连接层高度高于像素元件；位于微透镜层表面和连接层表面的粘胶层，位于粘胶层上透光层；其中像素元件区成腔室；位于光电转换层与像素元件阵列所在面相对的表面上的布线层；分立于布线层上的连接垫；位于布线层上且曝露出连接垫的隔离层；位于连接垫上的焊点。本发明有效地改善了器件的性能，提高器件的集成化度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810207513.4 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752266A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752266B 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/60; H01L27/146; H01L23/48 【发明人】三重野文健; 鲍震雷 【主权项内容】一种CMOS图像传感器的芯片级封装方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成光电转换层；在光电转换层表面形成布线层，所述布线层表面形成有分立的连接垫；在布线层表面形成粘附层，且粘附层覆盖连接垫；在粘附层表面形成支撑层；减薄半导体衬底直至露出光电转换层，在所述光电转换层上形成阵列分布的像素元件以及像素元件之间的连接层，所述连接层高度高于像素元件；在像素元件表面和连接层表面形成粘胶层；在粘胶层上形成透光层，且透光层将像素元件覆盖形成腔室；在支撑层和粘附层内形成贯穿支撑层和粘附层且露出连接垫的导电插塞；在导电插塞上形成焊盘，在焊盘表面形成焊点。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】1.0 【被引证次数】12 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12
