【摘要】 一种刻蚀方法及接触孔制作方法，所述刻蚀方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，所述器件层暴露出部分半导体衬底，在刻蚀腔室内对半导体衬底进行各向异性刻蚀，在半导体衬底表面形成损伤层；在同一腔室内对形成有损伤层的半导体衬底进行各向同性刻蚀，去除损伤层。所述的刻蚀方法能够降低了设备费用，降低了生产成本，提高产品的产能和产品良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810205394.9 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770945A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/3065; H01L21/00; H01L21/02; H01L21/768 【发明人】罗飞; 邹立 【主权项内容】一种刻蚀方法，提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，所述器件层暴露出部分半导体衬底，其特征在于，包括下列步骤：在刻蚀设备的腔室内对半导体衬底进行各向异性刻蚀，在半导体衬底表面形成损伤层；在同一腔室内对形成有损伤层的半导体衬底进行各向同性刻蚀，去除损伤层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
