【摘要】 本发明涉及一种有源区结构，有源区为半导体衬底内的第二类有源区，第 二类有源区表面覆盖有栅氧化层；栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的 源选择栅；第二类有源区中还包括一绝缘物井区，该绝缘物井区与用于连接源 选择栅的互连结构的位置对应。本发明的有源区结构通过在第二类有源区中对 应于源选择栅的互连结构位置设置绝缘物井区可有效提高源选择栅与其下第二 类有源区之间的电阻，提高两者之间的绝缘隔离性，从而解决源选择栅互连结 构下的栅氧化层损伤导致的源选择栅与有源区之间漏电流大的问题，降低 NAND器件的功耗，提高器件的稳定性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810041882.0 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656256A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656256B 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【发明人】蔡建祥 【主权项内容】1、一种有源区结构，所述有源区为半导体衬底内的第二类有源区，所述第二类 有源区表面覆盖有栅氧化层；所述栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的 源选择栅；其特征在于，所述第二类有源区中还包括一绝缘物井区，所述绝缘 物井区与用于连接源选择栅的互连结构的位置对应。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
