【摘要】 本发明公开了一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，包括如下步骤：第1步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述测试样品的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积，确定两者之间的函数；第5步，暗场图形硅片检测机台对具有同一种薄膜的有图形硅片进行表面缺陷检测时，利用所述函数将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043904.7 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101726252A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101726252B 【授权公告日】2011-11-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01B11/02; G01B11/28 【发明人】江月华 【主权项内容】一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述测试样品的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积，确定该种薄膜膜质下暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸和暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积之间的函数；第5步，暗场图形硅片检测机台对具有同一种薄膜的有图形硅片进行表面缺陷检测时，利用所述函数将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
