【摘要】 本发明涉及利用锗预非晶处理来形成P-型轻度掺杂的漏极区的方 法。一种形成具有超浅轻度掺杂的扩散区的MOS器件的方法。该方法 包括提供具有表面区域的半导体衬底，提供覆盖表面区域的栅极介电层 并形成覆盖栅极介电层一部分的栅极，利用栅极结构作为掩模，用锗物 质实施第一注入工艺，以在半导体衬底中在轻度掺杂的漏极区内形成非 晶区。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201210上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810040289.4 【申请日】2008-07-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621006A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621006B 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】李家豪 【主权项内容】1.一种形成具有超浅轻度掺杂的扩散区的MOS器件的方法，所述 方法包括： 提供包含表面区域的半导体衬底； 提供覆盖所述表面区域的栅极介电层； 形成覆盖所述栅极介电层一部分的栅极结构； 利用所述栅极结构作为掩模，使用锗物质实施第一注入工艺，以在 所述半导体衬底中在轻度掺杂的漏极区内形成非晶区； 利用所述栅极结构作为掩模，使用P型杂质和碳物质在所述轻度掺 杂的漏极区中实施第二注入工艺； 在所述轻度掺杂的漏极区中，进行第一热过程以活化所述P型杂 质； 形成覆盖所述栅极结构一部分的侧壁隔离物； 利用所述栅极结构和所述侧壁隔离物作为掩模层，使用第一杂质实 施第三注入工艺，以在邻近所述栅极结构的所述半导体衬底的表面区域 附近形成有源源极/漏极区； 实施第二热过程以活化所述有源源极/漏极区中的所述第一杂质； 和 其中所述MOS器件的特征在于65nm和更小的线宽。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】19
