【摘要】 一种MOS晶体管及其制作方法，其中MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内的有源区包括MOS晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子，所述引入碳离子步骤在引入第一离子之前或者之后、或者在引入第二离子之前或者之后进行。相应地，本发明还提供采用上述制作方法制作的MOS晶体管。本发明通过在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子，阻止后续在MOS晶体管的沟道区域内注入的离子在后续的氧化形成栅介质层工艺中扩散，从而达到抑制瞬态增强扩散效应目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810202962.X 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740514A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740514B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/8234; H01L21/336; H01L27/04; H01L29/78; H01L21/70; H01L21/02; H01L29/66 【发明人】赵猛 【主权项内容】一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为待形成MOS晶体管的不同有源区，所述有源区包括MOS晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；其特征在于，还包括：在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子。 该数据由<>整理 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】2.0 【被引证次数】7 【他引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7
