【摘要】 本发明公开了一种半导体制备中源漏注入结构的制备方法，其通过先 一次光刻显影后的光刻胶图形为掩膜进行源漏注入区的离子注入，而后干 法刻蚀去除多晶硅栅侧面的光刻胶，再进行轻掺杂漏注入，形成轻掺杂漏 区。利用本发明的制备方法，只需一次光刻显影，且省略了侧墙工艺，可 广泛用于半导体器件制备中。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043730.4 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661886A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661886B 【授权公告日】2011-06-22 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/266; H01L21/04; G03F7/42 【发明人】陈福成; 朱骏 【主权项内容】1、一种半导体制备中源漏注入结构的制备方法，所述源漏注入结构包 括源漏区和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅片上淀积作为多晶硅栅的多晶 硅之后，包括如下步骤： 1)涂光刻胶，对所述多晶硅进行光刻和显影，以显影后的光刻胶图形 为掩膜，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅，并去除光刻胶并清洗； 2)在硅片上淀积氧化硅，用作氧化硅衬垫层； 3)涂光刻胶，光刻和显影后形成的光刻胶图形作为源漏注入区注入时 的掩膜； 4)进行源漏注入区的离子注入，形成源漏注入区； 5)干法刻蚀横向削减去除多晶硅栅侧面的光刻胶，使光刻胶图形的开 口变大到预定数值； 6)以开口变大后的光刻胶图形为掩膜，进行轻掺杂漏区的离子注入， 形成轻掺杂漏区； 7)去除光刻胶并清洗。。微信 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
