【摘要】 一种双镶嵌结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成金属布线 层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第一光刻胶层；刻蚀阻挡层、层间绝缘 层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔；在接触孔内以及阻挡层上形成 底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去 除，接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层； 刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应 并连通，形成为双镶嵌结构。本发明简化了工艺步骤，防止金属布线层产生 缺陷。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201210上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810040370.2 【申请日】2008-07-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625992A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】周鸣; 尹晓明 【主权项内容】 。1.一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤： 在半导体衬底上依次形成金属布线层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第 一光刻胶层； 图形化第一光刻胶层后，以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层、层间绝缘 层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔； 去除第一光刻胶层后，在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层； 刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内 的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层； 在阻挡层上形成第二光刻胶层； 图形化第二光刻胶层后，以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层和层间绝缘 层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通； 去除第二光刻胶层和接触孔内的底部抗反射层，形成双镶嵌结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】4 【家族被引证次数】4
