【摘要】 本发明公开了一种沟槽型功率MOS晶体管，该MOS晶体管包括在沟槽内填充多晶硅的栅极和沟槽内壁的栅氧，且沟槽底部的栅氧比沟槽侧壁的栅氧厚两倍以上。本发明的沟槽型功率MOS晶体管，实现了在没有改变器件崩溃电压、工作电压等电学性能的前提下提高其工作频率的目的。本发明还公开了一种沟槽型功率MOS晶体管的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043940.3 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740615A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423; H01L21/336; H01L21/28 【发明人】魏炜; 程义川; 王凡 【主权项内容】一种沟槽型功率MOS晶体管，所述沟槽型功率MOS晶体管包括在硅基体上从下往上依次平行设置的漏区、衬底区和源区，垂直与所述漏区、衬底区和源区的沟槽内为填充有多晶硅的栅级，所述多晶硅和沟槽内壁之间生长有栅氧，其特征在于：所述沟槽底部的栅氧比沟槽侧壁的栅氧厚两倍以上，且所述沟槽底部的栅氧的上表面低于所述衬底区的下表面。。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
