【摘要】 本发明公开了一种2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，内部高压产生模块产生一个正电压和一个负电压，正电压和负电压之间的电势差为隧穿高电压，并且使存储单元发生隧穿效应。能够用中压器件代替高压器件，从而降低了器件成本，同时能减少工艺过程中光掩膜成本，并且由于电压绝对值的降低能提高器件的安全性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810044113.6 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101751998A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C16/04; G11C16/30; G11C16/06 【发明人】陈昊瑜; 陈广龙 【主权项内容】一种2T嵌入式浮栅电可擦写只读存储器，其特征在于，内部高压产生模块产生一个正电压(Vpos)和一个负电压(Vneg)，正电压(Vpos)和负电压(Vneg)之间的电势差为隧穿高电压(Vppl)，并且使存储单元发生隧穿效应。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X
