【摘要】 本发明提供一种改善发光二极管电流扩展效率的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底、N型电流扩展层、多量子阱有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、P电极及N电极，其中，所述的P型电流扩展层内形成有一电流阻挡区，该电流阻挡区内设置有电流阻挡层；所述的方法是通过离子植入或二次外延的方式在P型电流扩展层内形成电流阻挡层，本发明所述的电流阻挡层，它能使P型电极注入的电流横向扩展到电极下方以外的有源发光区，使P电极下方无电流，不发光，增加了发光效率，减少了焦耳热的产生，提高了器件的热性能、寿命及可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】世纪晶源科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810218304.X 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752478A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】胡加辉; 沈志强; 廖家明; 杨仁君; 朱国雄; 江明璋; 吴煊良 【主权项内容】一种改善发光二极管电流扩展效率的方法，所述的发光二极管包括层状结构外延片，该外延片包括衬底、N型电流扩展层、有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、P电极及N电极，其特征在于：所述的P型电流扩展层内设置有电流阻挡层。 【当前权利人】世纪晶源科技有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【专利权人类型】有限责任公司(外商投资、非独资) 【统一社会信用代码】91440300767567651X 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
