【摘要】 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，于该发光二极管晶 片的衬底上形成若干发光二极管晶粒；于发光二极管晶粒的周围形成一保护层；于保护层上 沉积一电极层；去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去 除每一发光二极管晶粒周围的保护层；于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽；提供一基 座，将该基座组装于该电极层上；打线、密封及切割。与现有技术相比较，本发明的发光二 极管制造方法无须导电架，也无须逐个取放发光二极管晶粒，采用晶片结合法及剥离法使得 多个发光二极管晶粒一体式同步封装，制造方法简便且成本较低。 【专利类型】发明申请 【申请人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810303127.5 【申请日】2008-07-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640240A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】张家寿 【主权项内容】1.一种发光二极管制造方法，包括以下步骤： 提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一衬底，于该衬底上形成若干发光二 极管晶粒； 于发光二极管晶粒的周围形成一保护层； 于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极 管晶粒的第一电极； 提供一导电板，将该导电板组装于电极层上； 去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极； 去除每一发光二极管晶粒周围的保护层； 于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽，每一通槽上下贯通电极层及导电板； 提供一基座，将该基座组装于电极层上，该基座上开设若干通孔，该若干通孔与该若 干发光二极管晶粒一一对应，每一发光二极管晶粒收容于相对应的通孔中； 把每一发光二极管晶粒的第二电极电连接于电极层上，并向基座的通孔内填充透光材 料，该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒； 切割使该若干发光二极管晶粒相互分离，每一发光二极管晶粒分别形成一发光二极管 ，该发光二极管包括一通槽、一电极层及一导电板，发光二极管的通槽使发光二极管的电极 层分为相互绝缘的第一部分及第二部分，并使导电板分为相互绝缘的第一外电极及第二外电 极。 【当前权利人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾台北县土城市中山路3之2号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9144030070842022XG 【家族被引证次数】TRUE
