【摘要】 本发明涉及一种大功率正装LED芯片结构，包括透明钝化层、P压焊点、透明电极层、N电极、LED外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其中：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层；本发明所述的大功率正装LED芯片通过采用导热基座和DBR光学反射膜的结合，解决了大功率LED芯片在高电流密度小所遇到的散热及提高出光效率的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810241675.X 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101929610A 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】F21S2/00; F21V7/22; F21V29/00; H01L33/00; F21Y101/02; F21V29/503; F21V29/70 【发明人】吴大可; 朱国雄; 张坤 【主权项内容】一种大功率正装LED芯片结构，包括透明钝化层、P压焊点、透明电极层、N电极、LED外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其特征在于：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层。 【当前权利人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91440300664191540P 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
