24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

主板供电电路专利

发布时间:2026-07-06

【摘要】 一种主板供电电路,包括一控制电路,所述控制电路与主板基本输入输出系统的一通用输入输出端口连接以接收一主板工作模式信号;一自锁电路,所述自锁电路与所述控制电路以及一辅助电压连接,并与一电脑电源连接以接收一电源状态信号及一电源开机信号;以及一解锁电路,所述解锁电路与所述自锁电路、控制电路以及辅助电压连接,并与所述电脑电源连接以接收所述电源状态信号,所述解锁电路在电脑在关机后解除主板上的辅助电压进行省电。 【专利类型】发明授权 【申请人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810302478.4 【申请日】2008-07-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101576767B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101576767B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F1/32 【发明人】石磊 【主权项内容】一种主板供电电路,包括:一控制电路,用以接收主板的工作模式信号;一自锁电路,包括一PMOS场效应管以及一第一NMOS场效应管,所述PMOS场效应管的栅极与一电脑电源相连以接收一电源开机信号,所述PMOS场效应管的源极与一辅助电压相连,所述PMOS场效应管的漏极与一双重电压相连,所述第一NMOS场效应管的栅极与所述双重电压相连,所述第一NMOS场效应管的源极与所述控制电路相连,所述第一NMOS场效应管的漏极与所述PMOS场效应管的栅极相连,还与所述辅助电压相连;以及一解锁电路,包括一第二NMOS场效应管、一第三NMOS场效应管以及一RC延时电路,所述第二NMOS场效应管的栅极通过所述RC延时电路与所述辅助电压相连,所述第二NMOS场效应管的漏极与所述第一NMOS场效应管的源极相连,所述第三NMOS场效应管的栅极与所述电脑电源相连以接收一电源状态信号,所述第三NMOS场效应管的漏极与所述第二NMOS场效应管的栅极相连,还与所述辅助电压相连;当选择节能模式时,所述控制电路收到所述主板工作模式信号后无信号输出,在电脑关机后所述电源状态信号为低电平,所述第三NMOS场效应管截止,经过RC延时电路延时后,所述第二NMOS场效应管导通,所述第一NMOS场效应管通过所述第二NMOS场效应管接地,所述双重电压不带电源,使所述第一NMOS场效应管及PMOS场效应管截止,进而使所述辅助电压的电压值无法通过所述PMOS场效应管提供给所述双重电压为主板供电。 【当前权利人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾新北市土城区中山路66号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914403007084307436 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】20

  • 【摘要】 。一种电源保护装置,包含一比较单元、一反向单元及一电源开关单元。比较单元耦接 于一电源用于接收一输入讯号及一预设讯号,比较输入讯号与预设讯号的电位值,以产生一 比较讯号。反向单元耦接于比较单元用于接收比较讯号并产生一反向讯号。电源
  • 【摘要】一种动态审核提示方法,该方法包括如下步骤:接收用户通过客户端发送过来的审核需 求;根据审核需求的类型将该审核需求发送给对应的审核人员;当审核人员没有定制即时消 息提示时,直接进入下一步骤,否则,生成一个触发指令,以触发审核人员的客户
  • 【摘要】本发明提供一种移动通信终端及其来电号码提示方法,该移动通信终端包括一收发模块 、一显示模块、一控制模块、一键盘、一开关模块及一电源,该收发模块、显示模块、键盘 及开关模块均与该控制模块电性连接,该键盘、开关模块及电源电性连接。该收发
  • 【摘要】一种固定机构,包括安装部及与安装部相配合的盖体,安装部形成有第一螺纹、限位部及导向部,盖体上形成有第二螺纹、卡持部及定位部,定位部与导向部相配合以定位盖体装入安装部的起始位置,第一螺纹与第二螺纹相螺合以将盖体连接于安装部上,卡持部与
  • 【摘要】一种电脑硬件设备状态指示电路,包括依次相连的一侦测单元、一解码单元及一指示单元,指示单元包括至少一双色指示灯及与其相连的至少两电子开关,电子开关的输入端均连接所述解码单元,输出端分别连接双色指示灯的两输入端,双色指示灯的两输入端分别
  • 【摘要】外观设计产品右视图与左视图对称,省略右视图。【专利类型】外观设计【申请人】戴雪珍【申请人类型】个人【申请人地址】518172广东省深圳市宝安西乡镇盐田村华丰工业园3栋3楼【申请人地区】中国【申请人城市】深圳市【申请人区县】宝安区【申