【摘要】 本发明提供了一种图形衬底的GaN基LED外延片及制备该外延片的方法，其是在外延片衬底上包括有分布DBR反射层，该DBR反射层是由两种折射率不同的透明材料周期交替生长的层状结构，该层状结构的DBR反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构；该图形结构之间形成窗口区，GaN外延层即可从窗口区进行外延生长，本发明的外延生长由于晶体生长方向垂直于原来的位错运动方向，且掩膜层阻断了大部分扩展位错的运动，因此能大大降低外延层中扩展位错的密度，提高GaN外延薄膜的晶体质量；同时，本发明的图形化衬底上的DBR反射层结构是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，将有源区向下发射的光反射到出光的上表面，大大的提高了LED的出光效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810217488.8 【申请日】2008-11-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740677A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】胡加辉; 朱国雄; 吴煊梁; 廖家明; 沈志强 【主权项内容】一种图形衬底的GaN基LED外延片，包括衬底、及该衬底上形成的缓冲层、非掺杂本征GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN有源层、多量子阱和P型GaN层，其特征在于：所述的衬底上还包括DBR反射层，该DBR反射层是由两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，该层状结构的反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构。 【当前权利人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91440300664191540P 【被引证次数】34 【被他引次数】34.0 【家族被引证次数】58
