【摘要】 本实用新型涉及一种单电极LED芯片结构，包括n金属电极层、蓝宝石衬底粗化层、蓝宝石衬底、外延层、钝化层、透明电极层及焊料层，所述的焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的焊料层底部设置有一高导电导热基座层；本实用新型所述的单电极LED芯片通过采用高导热导电基座取代高热阻及绝缘的原衬底，使得芯片散热能力显著改善，由于量子阱的电-光转换效率是随着温度的增加而降低，LED芯片在散热性能上的改善使得芯片可以在大电流下仍然维持较高的电-光转换效率，实现大功率高亮度；同时本实用新型将芯片倒置，利用DBR光学反射层使得取光方向改道透明的蓝宝石衬底，提高了芯片的外量子效率，增加取光效率。 【专利类型】实用新型 【申请人】世纪晶源科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200820235685.8 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201450017U 【公开公告日】2010-05-05 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201450017U 【授权公告日】2010-05-05 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】吴大可; 朱国雄; 张坤 【主权项内容】一种单电极LED芯片结构，该芯片为倒装结构，其包括依次叠置在一起的n金属电极层、蓝宝石衬底粗化层、蓝宝石衬底、外延层、钝化层、透明电极层及焊料层，其特征在于：所述的焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的焊料层底部设置有一高导热基座层。 【当前权利人】世纪晶源科技有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【专利权人类型】有限责任公司(外商投资、非独资) 【统一社会信用代码】91440300767567651X 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5
