【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括下列步骤： 提供一基板，其上制作多晶硅膜图案，该多晶硅膜图案包括多个第 一种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区和多个第二种类型 薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区；对第一种类型薄膜晶体管 的源极接触区与漏极接触区进行重掺杂；在多晶硅膜表面形成栅极 绝缘膜，其上形成栅极金属线；对第二种类型薄膜晶体管源极接触 区与漏极接触区进行自我对准式重掺杂；在栅极绝缘膜和栅极金属 线的表面形成介电层；制作连接通道连通该多晶硅膜至该介电层的 表面；在连接通道形成电极金属线；其中第一种类型薄膜晶体管与 第二种类型薄膜晶体管的重掺杂相互补偿。此制造方法掩膜的数量 减少，制造成本有优势。 【专利类型】发明申请 【申请人】群康科技(深圳)有限公司; 群创光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810142026.4 【申请日】2008-08-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656233A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656233B 【授权公告日】2012-10-24 【授权公告年份】2012.0 【发明人】叶冠华; 郑再来; 吴宏基 【主权项内容】 。1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括下列制造步骤：提 供一基板，在该基板上形成多晶硅膜；制作多晶硅膜图案，该多晶 硅膜图案包括多个第一种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触 区和多个第二种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区；对第 一种类型薄膜晶体管的源极接触区与漏极接触区进行重掺杂；在多 晶硅膜表面形成栅极绝缘膜，其上形成栅极金属线；对第二种类型 薄膜晶体管源极接触区与漏极接触区进行自我对准式重掺杂；在栅 极绝缘膜和栅极金属线的表面形成介电层；制作连接通道连通该多 晶硅膜至该介电层的表面；在连接通道形成电极金属线；其中第一 种类型薄膜晶体管与第二种类型薄膜晶体管的重掺杂相互补偿。 【当前权利人】群康科技(深圳)有限公司; 奇美电子股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园区E区4栋1楼; 中国台湾台南县 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914403007619679615 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
