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一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路专利

发布时间:2026-07-03

【摘要】 本发明涉及一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路,包括为所述发光二极管提供工作电流的恒定电流源、连接在所述发光二极管与恒定电流源之间的输出调整管以及与所述输出调整管形成有源共源共栅结构的运算放大器,所述驱动电路还包括受所述恒定电流源的电流控制且输出端连接到所述输出调整管控制端的开启加速电路。在发光二极管驱动电路中使用辅助开关以加速开启过程时,常规发光二极管恒流驱动电路响应速度会比较慢且不稳定。实施本发明,能缩短流过发光二极管电流的上升时间,加速发光二极管导通,并有效抑制过冲电流。 【专利类型】发明授权 【申请人】深圳市联德合微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市高新区科技南6路29栋南座4B 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810142369.0 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101340755B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101340755B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H05B37/00; H05B37/02; F21V23/00; F21Y101/02N; F21Y115/10 【发明人】周咏; 钟昌贤; 陈志军 【主权项内容】一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路,包括为所述发光二极管(10)提供工作电流的恒定电流源(13)、连接在所述发光二极管(10)与恒定电流源(13)之间的输出调整管(11)以及与所述输出调整管(11)形成有源共源共栅结构的运算放大器(12),其特征在于,所述驱动电路还包括受所述恒定电流源(13)的电流控制且输出端连接到所述输出调整管(11)控制端的开启加速电路(20);所述开启加速电路(20)包括与所述恒定电流源(13)连接的防过冲充电电路(22)、连接在所述防过冲充电电路(22)与输出调整管(11)控制端之间的充电开关单元(25)以及与所述充电开关单元(25)连接对其进行控制的电压比较器(21);所述电压比较器(21)的正输入节点连接外部电路提供的基准电压信号(B2),负输入节点连接所述输出调整管(11)的源极,输出节点与所述充电开关单元(25)连接;所述驱动电路还包括一连接在所述输出调整管(11)控制端与地之间受所述发光二极管(10)的导通使能信号(A1)控制的关断控制开关(24),所述导通使能信号(A1)还与所述充电开关单元(25)连接。 【当前权利人】深圳市联德合微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市高新区科技南6路29栋南座4B 【专利权人类型】有限责任公司(自然人独资) 【统一社会信用代码】9144030073627483XU 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】17

  • 【专利类型】外观设计【申请人】梁立松【申请人类型】个人【申请人地址】529000广东省江门市蓬江区杜阮镇龙溪江门市新藤铁城工艺有限公司【申请人地区】中国【申请人城市】江门市【申请人区县】蓬江区【申请号】CN200830222934.5【申请
  • 【摘要】本发明公开了一种家庭基站小区重选方法和装置,其中,上述方法包括:当终端处于自动家庭基站小区状态,并且终端的当前驻留小区是宏小区时,终端测量所有异频的相邻家庭基站小区,得到每个相邻家庭基站小区的测量电平值;终端将测量电平值满足重选门限
  • 【摘要】本发明提供了一种存储设备的控制方法及存储设备。存储设备包括半导体存储介质,该方法包括:建立部分逻辑地址与半导体存储介质中空块的物理地址的映射关系;记录无所述映射关系的空块的信息;和对无所述映射关系的空块进行操作。采用本发明提供的存储
  • 【专利类型】外观设计【申请人】深圳市道通科技有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】518000广东省深圳市南山区高新区南区留学生创业大厦22052206室【申请人地区】中国【申请人城市】深圳市【申请人区县】南山区【申请号】CN200830
  • 【摘要】一种用于射频SIM卡的两次变频接收电路,包括低噪声放大器(01)、高中频混频器 (02)、低中频混频器(03)、本地振荡器(04)、正交IQ电路(05)和低中频处理电路 (07);其特征在于,还包括分频器(06),其将本地振荡器(0
  • 【摘要】本发明公开了一种连续视频数据流的缩放系统,该缩放系统包括堆 栈、行缓存、第一加权模块、点缓存、时钟产生模块、第二加权模块和锁 存模块,其中输入信号经堆栈输入至行缓存,再依次经过第一加权模块、 点缓存和第二加权模块进行处理,最后经锁存