【摘要】 本实用新型公开了一种制备微米级分散体的集成芯片和一种采用该芯片 的装置；以两层相邻结构为一组结构，该集成芯片包括至少一组结构；在一组 结构中，第一层结构设置M级梯度，第二层结构设置N级梯度；M、N是自 然数，M小于N；各级梯度中，第一级梯度设置1个通道1，其余第K级梯度 分别从第K-1级梯度的每个通道中引出2个对称的通道K；对于第一层结构 第M级梯度的任一特定通道M，均对应于第二层结构第M级梯度从某一通道 M所引出的、在第N级梯度形成的2N-M个特定通道N。在远离各通道M的一 侧，分别设置一收集通道；集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连 接的收集槽，用于收集和导出产物。本实用新型的产率非常高。 【专利类型】实用新型 【申请人】深圳先进技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】518067广东省深圳市南山区南海大道1019号南山医疗器械产业园3A 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200820234945.X 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201380068Y 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201380068Y 【授权公告日】2010-01-13 【授权公告年份】2010.0 【发明人】郑海荣; 姜春香; 靳巧峰; 王战会 【主权项内容】1、一种制备微米级分散体的集成芯片，其特征在于，以两层相邻结构 为一组结构，所述集成芯片包括至少一组结构； 在一组结构中，第一层结构设置M级梯度，第二层结构设置N级梯度； 其中，M、N是自然数，M小于N；各级梯度中，第一级梯度设置1个通 道1，其余第K级梯度分别从第K-1级梯度的每个通道中引出2个对称的 通道K； 对于第一层结构第M级梯度的任一特定通道M，均对应于第二层结构 第M级梯度从某一通道M所引出的、在第N级梯度形成的2N-M个特定通 道N； 对于各特定通道N，其出口等距分布在一预设置半径圆形的圆周，其输 出方向通过该圆形圆心； 对于该特定通道M，其输出方向垂直于该圆形，其出口与该圆形的垂 线通过该圆形的圆心，该特定通道M的出口与该圆心距离一特定长度； 沿该特定通道M的输出方向，在该圆形远离该特定通道M的一侧，设 置一收集通道； 所述集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连接的收集槽，用 于收集和导出产物。。 【当前权利人】深圳中科乐普医疗技术有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区松白路1002号百旺信工业园9栋405 【统一社会信用代码】1244030078922035X0 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
