【摘要】 本发明公开了一种发光二极管器件及其制造方法。该发光二极管器件包括：基板；设置在基板上的n型半导体层；设置于n型半导体层上的发光层；设置于发光层上的p型半导体层；和设置于p型半导体层上的透明电极层。其中该透明电极层的上表面具有多个凹凸形的微结构。根据本发明，减少或避免了由于全反射造成的光损耗，提高了发光二极管的外部光效率。。 【专利类型】发明授权 【申请人】鹤山丽得电子实业有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】529728 广东省鹤山市共和镇祥和路301号 【申请人地区】中国 【申请人城市】江门市 【申请人区县】鹤山市 【申请号】CN200810026797.7 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257075B 【公开公告日】2010-05-12 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257075B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/22; H01L33/42 【发明人】樊邦弘; 翁新川; 叶国光 【主权项内容】一种发光二极管器件，包括：基板；设置在基板上的n型半导体层；设置于部分的n型半导体层上的发光层；设置于发光层上的p型半导体层；设置于p型半导体层上的透明电极层；设置于透明电极层上的阳极；以及设置于部分的n型半导体层上的阴极；其中形成有多个自该透明电极层贯穿至n形半导体层的孔；所述孔的间距为2至8微米，孔的深度为1至2微米，且孔的直径为0.2至4微米。 【当前权利人】广东银雨芯片半导体有限公司 【当前专利权人地址】广东省江门市高新区科苑西路1号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】40
