【摘要】 本发明提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：蓝宝石衬底；形成于蓝宝石衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；保护层，覆盖p型半导体材料层；穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极；以及围绕n型半导体材料层形成并与之电接触的阴极；以及形成于蓝宝石衬底的背面上的背镀金属层或导电胶，所述背镀金属层或导电胶接触n型半导体层和阴极。本发明还提供了具有该发光二极管的封装结构及该发光二极管的制造方法。根据本发明的发光二极管的发光效率增加了50％以上。 【专利类型】发明授权 【申请人】鹤山丽得电子实业有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】529728 广东省鹤山市共和镇祥和路301号 【申请人地区】中国 【申请人城市】江门市 【申请人区县】鹤山市 【申请号】CN200810025948.7 【申请日】2008-01-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101222015B 【公开公告日】2010-05-12 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101222015B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/38 【发明人】樊邦弘; 翁新川; 叶国光 【主权项内容】一种发光二极管，包括：蓝宝石衬底；形成于蓝宝石衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；形成于p型半导体材料层上的阳极；沿n型半导体材料层边缘形成并与n型半导体材料层电接触的阴极；以及形成于蓝宝石衬底的背面上的背镀金属层或导电胶，所述背镀金属层或导电胶接触n型半导体材料层和阴极。 【当前权利人】广东银雨芯片半导体有限公司 【当前专利权人地址】广东省江门市高新区科苑西路1号 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】21.0 【家族被引证次数】44
