【摘要】 本发明公开一种发光二极管金电极的制备方法，该方法是先依次蒸镀具有欧姆接触的金属层和一层薄金层，再采用化学还原镀金在蒸镀的薄金层表面上析出所需厚度的金层，即完成了发光二极管金电极的制备。本发明采用化学还原镀金法制备金电极，节省大量的金用量，降低原材料成本。本发明的制备方法操作简易，镀液储存稳定，制得的金电极纯度高、表面光亮、致密均匀、无针洞裂痕等缺陷，而且结合牢固。 【专利类型】发明授权 【申请人】普光科技(广州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】510530 广东省广州市经济技术开发区东区骏功路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】黄埔区 【申请号】CN200810219454.2 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101420009B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101420009B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/36 【发明人】陈国聪; 王孟源; 黄少华; 雷秀铮 【主权项内容】一种发光二极管金电极的制备方法，其特征在于该方法是先依次蒸镀具有欧姆接触的金属层和一层薄金层，然后采用化学还原镀金法在蒸镀的薄金层表面上析出所需厚度的金层，即完成了发光二极管金电极的制备。 【当前权利人】浙江亚威朗科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市海盐经济开发区杭州湾大桥新区01省道、B7道路东 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91440113718199266F 【家族被引证次数】2
