【摘要】 本发明公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的带静电保护的高导通电压LED集成芯片及制造方法。该芯片包括若干个带有衬底(10)、N型外延层(11)、P型外延层(12)的LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，硅衬底(2)上依次设有导热绝缘层I(41)、导热绝缘层II(42)，导热绝缘层II(42)上有金属层(6)，导热绝缘层I(41)与导热绝缘层II(42)之间于每个LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的金属层(6)分别与位于同一个多晶硅块内的多晶硅区II(5)相连接。制造方法包括形成两个导热绝缘层、多晶硅块、金属层及倒装的步骤。 【专利类型】发明授权 【申请人】广州南科集成电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】510663 广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】黄埔区 【申请号】CN200810029697.X 【申请日】2008-07-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330078B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330078B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L25/00; H01L23/488; H01L23/60; H01L23/36; H01L21/48; H01L21/50; H01L21/60 【发明人】吴俊纬 【主权项内容】一种带静电保护的高导通电压LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)上生成有导热绝缘层I(41)，所述导热绝缘层I(41)上生成有导热绝缘层II(42)，所述导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)正装或倒装在各所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述导热绝缘层I(41)与所述导热绝缘层II(42)之间于每个所述LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个所述多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与所述多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的所述金属层(6)分别与位于同一个所述多晶硅块内的两侧的所述多晶硅区II(5)相连接。 【当前权利人】广州南科集成电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914401017555852547 【家族被引证次数】2
