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锂电池充电器控制集成电路及其恒流恒压控制电路专利

发布时间:2026-07-02

【摘要】 本发明公开了一种充电时间短、空载功耗小的锂电池充电器控制集成电路及其恒流恒压控制电路。该控制电路包括电压采样电阻网络、比较器(OP4)、施密特触发电路、主充电P-MOSFET(P79),电压采样电阻网络的分压端(T)与比较器(OP4)的同相输入端相连接,基准电压输入端(L1)与比较器(OP4)的反相输入端相连接,施密特触发电路的输入端与比较器(OP4)的输出端相连接、输出端与开关控制P-MOSFET(P93)及N-MOSFET(N72)的栅极相连接,开关控制P-MOSFET(P93)的源极、漏极分别与比较器(OP4)的输出端及主充电P-MOSFET(P79)的栅极相连接,开关控制N-MOSFET(N72)的源极、漏极分别接地端及主充电P-MOSFET(P79)的栅极相连接。。 【专利类型】发明授权 【申请人】广州南科集成电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】510663 广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】黄埔区 【申请号】CN200810028808.5 【申请日】2008-06-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101364742B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101364742B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02J7/04; G05F1/46 【发明人】吴纬国; 范建新 【主权项内容】一种锂电池充电器控制集成电路的恒流恒压控制电路,其特征在于:包括锂电池正极端口(BT+)、电源输入端(VDD)、基准电压输入端(L1)、电压采样电阻网络(1)、比较器(OP4)、施密特触发电路(SMIT)、主充电P-MOSFET(P79)、开关控制P-MOSFET(P93)、开关控制N-MOSFET(N72),所述电压采样电阻网络(1)包括采样电压端、分压端(T)、接地端,所述采样电压端与所述正极端口(BT+)相连接、所述分压端(T)与所述比较器(OP4)的同相输入端(+)相连接,所述基准电压输入端(L1)与所述比较器(OP4)的反相输入端(-)相连接,所述施密特触发电路(SMIT)的输入端与所述比较器(OP4)的输出端相连接,所述施密特触发电路(SMIT)的输出端与所述开关控制P-MOSFET(P93)的栅极及所述开关控制N-MOSFET(N72)的栅极相连接,所述开关控制P-MOSFET(P93)的源极、漏极分别与所述比较器(OP4)的输出端及所述主充电P-MOSFET(P79)的栅极相连接,所述开关控制N-MOSFET(N72)的源极、漏极分别所述接地端及所述主充电P-MOSFET(P79)的栅极相连接,所述主充电P-MOSFET(P79)的源极、漏极分别与所述电源输入端(VDD)、所述正极端口(BT+)相连接。 【当前权利人】广州南科集成电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914401017555852547 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】3

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  • 【专利类型】外观设计【申请人】广州市九佛电器有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】510000 广东省广州市白云区九佛凤尾广州市九佛电器有限公司【申请人地区】中国【申请人城市】广州市【申请人区县】白云区【申请号】CN20083005123
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