【摘要】 本发明实施方式提供了一种金属硅的精练方法，该方法属于化工领域，该 方法应用冶金原理，在保持冶金硅固态的情况下，根据影响载流子寿命和电池 性能的杂质与硅物理化学性能的差异，制备出准太阳能级硅材料；并应用吹气 氧化以及高温真空蒸发技术，通过晶界表面硼磷氧化物的扩散分凝以及减压下 蒸气压较小物质的蒸发，在高温下促进硅粉内部杂质迁移到表面而去除，再经 过氢氟酸对晶界第二相物质浸出，能使冶金硅的纯度得到一定程度的提高。本 发明提供的方法具有能耗小，环境污染低，设备简单等优点。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510006广东省广州市番禺小谷围大学城 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】番禺区 【申请号】CN200810222847.9 【申请日】2008-09-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101683982A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101683982B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C01B33/037 【发明人】罗绮雯; 陈红雨; 叶其辉 【主权项内容】1、一种金属硅的精练方法，其特征在于，所述方法包括： A、将金属硅进行研磨后筛选得到150-250目的硅粉； B、将所述硅粉放入超声环境中的去油溶液中浸泡，所述去油溶液为乙醇、 四氯化碳、丙酮其中一种或两种溶液； C、将浸泡后的硅粉放入0.5-3mol/L的盐酸溶液中搅拌30分钟后烘干； D、将烘干后的硅粉放入管式炉内的瓷舟中，将氩气和氧气混合气体通过 装有5ml-10ml去离子水的缓冲瓶加热后通向所述管式炉，所述氩气和氧气混 合比例为1000∶0.5； E、将所述管式炉加热至1200-1400℃并保持30-90分钟后停止通入所述混 合气体后，将所述管式炉的真空度调节至0.1-1MPa后保持所述真空度和 1200-1400℃温度30-90分钟； F、将管式炉的温度自然冷却至80℃以下； G、将冷却后的硅粉加入络合剂溶液络合10-30分钟；所述络合剂溶液为甘 露醇或者甘油水溶液； H、将络合后的硅粉加入0.3-1.5mol/L的氢氟酸溶液，并在搅拌的情况下 浸出2小时，并保持浸出温度为50-90℃； I、静置并放出下层溶液后，用去离子水搅拌清洗多次直至上浮的硅粉沉淀； 将沉淀后的硅粉在60-80℃减压条件下快速干燥得到多晶硅。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市番禺小谷围大学城 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9
