【摘要】 本发明公开了一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；然后浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。本发明提供的方法，采用的原料均不含重金属，对环境友好，而且原料简单易得，生产工艺简单易于操作；采用本发明所述的方法转移后的氮化镓膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。 【专利类型】发明授权 【申请人】中山大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】海珠区 【申请号】CN200810029353.9 【申请日】2008-07-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101325235B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101325235B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】崔国峰; 丁坤 【主权项内容】一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；步骤2：在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；步骤3：在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；步骤4：浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。 【当前权利人】中山大学 【当前专利权人地址】广东省广州市海珠区新港西路135号 【统一社会信用代码】121000004558631445 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
