【摘要】 本发明公开了一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，首先通过分析MCM/HIC电路，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件，然后在MCM/HIC电路工作状态下，使用辐照夹具针对一个或多个敏感元器件进行辐照，确定这些敏感元器件在电路工作中的抗辐射能力，最后对整个MCM/HIC电路进行总剂量辐照，并采用在线监测的方式测试MCM/HIC电路的电参数。采用本发明技术，可以实现对多芯片混合集成电路进行抗辐照总剂量水平试验评价，既可以评价整个电路的抗辐照能力，也可以研究电路中辐照敏感元器件的抗辐照能力，有利于针对电路局部进行抗辐照加固设计。 【专利类型】发明授权 【申请人】信息产业部电子第五研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810218930.9 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101413988B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101413988B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R31/28; G01R31/00 【发明人】罗宏伟; 何玉娟; 恩云飞; 师谦; 肖庆中 【主权项内容】一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，其特征在于，该方法的具体步骤包括：1)MCM/HIC电路分析：使用PSPICE软件对电路进行模拟仿真，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件；2)样品的抽样和处置：选择没有封装或开盖符合试验计划规定的电参数规范的MCM/HIC电路提交辐射测试，为每个器件应该单独编号，对于ESD敏感类器件，使用相应的处置技术以防止损坏器件；3)剂量率的选择：本发明的X射线试验中的剂量率在2到30Gy(Si)/s之间；4)辐照偏置设置：辐射中MCM/HIC电路的偏置设置与试验计划中规定值之间的偏差保持在±10％以内；5)电性能测试：辐射过程中对MCM/HIC电路进行电测试和功能测试来表征辐射响应；6)针对一个或多个敏感元器件的辐照试验：使用MCM/HIC电路辐照夹具屏蔽电路中的其余元器件，只针对电路中一个或多个关键部件进行X射线总剂量电离辐照试验，并记录下各辐照总剂量条件下的MCM/HIC电路的电性能和功能测试数值；7)整体电路辐照试验：对整个MCM/HIC电路进行X射线总剂量电离辐照试验，记录下各辐照总剂量条件下的电性能和功能测试数值；8)退火试验：退火时的偏置与辐照偏置一致，退火温度125℃，退火时间为24～48小时。 【当前权利人】信息产业部电子第五研究所 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区东莞庄路110号 【家族被引证次数】10
