【摘要】 本发明公开了一种颗粒增强阻尼多孔镍钛记忆合金基复合材料的制备方法。采用梯级粉末烧结法，将镍、钛金属粉末和调控材料的硅或氧化铝颗粒按一定比例均匀混合后压制成生坯，硅颗粒或氧化铝颗粒占生坯重量的5～15％，采取梯级加热方式一次整体烧结而制得复合材料。通过向镍钛记忆合金中引入孔隙及低密度、微米尺度颗粒状调控材料对镍钛合金的阻尼及力学性能进行定量调控，最终获得新型轻质高阻尼多孔镍钛合金基复合材料。按照本发明制备的复合型多孔镍钛记忆合金仍具有形状记忆效应和超弹性变形能力，比普通多孔镍钛合金具有更优异的强度和阻尼能力；本发明工艺适应性好、制备过程简单、成本低，可用于复合阻尼材料、阻尼结构及器件的制造。 【专利类型】发明授权 【申请人】华南理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510640 广东省广州市天河区五山路381号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810219444.9 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101440439B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101440439B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C1/04; C22C1/08 【发明人】张新平; 李大圣; 熊志鹏 【主权项内容】颗粒增强阻尼多孔镍钛记忆合金基复合材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)按照镍、钛原子比为50～51％∶49～50％，将纯镍粉和纯钛粉混合均匀；所用纯钛粉平均粒径为48μm，纯镍粉平均粒径为57μm；(2)将外加调控材料硅颗粒或氧化铝颗粒与步骤(1)所得的混合粉充分混合后在室温下压制成生坯，硅颗粒或氧化铝颗粒占生坯重量的5～15％；所述硅颗粒粒径为60～80μm；所述氧化铝颗粒粒径为80～100μm，硅颗粒或铝颗粒的纯度均大于99.9％；(3)将压制好的生坯放入惰性气体或真空保护下的加热炉中，按梯级加热方式升温，将坯料以10～20℃/min的速率加热至第一级梯度温度700～800℃，保温10～20分钟；然后以10～20℃/min的速率加热至第二级梯度温度950～1050℃，保温1～3小时后冷却至室温，制得调控材料弥散分布的多孔镍钛记忆合金基阻尼复合材料。 【当前权利人】华南理工大学 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区五山路381号 【统一社会信用代码】12100000455414429R 【引证次数】1.0 【被引证次数】23 【自引次数】1.0 【被他引次数】23.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】39
