【摘要】 本发明涉及一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥，然后放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～300℃，通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压，至完成单晶硅片的钝化。通过对钝化过程的控制，可以去除单晶硅表面的污染物，饱和硅片表面的悬挂键，同时避免硅片由于过腐蚀或等离子轰击形成新的缺陷，降低了异质结的界面态密度，实现了非晶硅/单晶硅异质结界面的有效钝化。 【专利类型】发明申请 【申请人】广东志成冠军集团有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】523718 广东省东莞市塘厦镇田心工业区 【申请人地区】中国 【申请人城市】东莞市 【申请人区县】东莞市 【申请号】CN200810240302.0 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752458A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】周志文; 曾祥斌; 宋佩珂 【主权项内容】一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，通过对单晶硅实施以下步骤得以实现：(1)对单晶硅片背面进行保护处理；(2)将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥；(3)将干燥后单晶硅片放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～300℃；(4)通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压；(5)关闭反应气体，抽真空到背景真空度，得到界面钝化后的单晶硅片。 数据由整理 【当前权利人】广东志成冠军集团有限公司; 华中科技大学 【当前专利权人地址】广东省东莞市塘厦镇田心工业园; 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91441900721197595K 【被引证次数】10 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】10
