【摘要】 本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。 【专利类型】发明申请 【申请人】广东志成冠军集团有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】523718 广东省东莞市塘厦镇田心工业区 【申请人地区】中国 【申请人城市】东莞市 【申请人区县】东莞市 【申请号】CN200810240124.1 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101750436A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G01N27/04 【发明人】周志文; 曾祥斌; 宋佩珂 【主权项内容】一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，其特征在于，在非晶硅薄膜退火晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。 【当前权利人】广东志成冠军集团有限公司; 华中科技大学 【当前专利权人地址】广东省东莞市塘厦镇田心工业园; 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91441900721197595K 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
