【摘要】 本实用新型涉及一种微波真空金属镀膜装置，具体地讲它是一种主要 适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以 及金属化合物膜的装置，它属于金属淀积技术领域。本实用新型是由等离 子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成，等离子室的 顶端封盖一个微波窗，镀膜室的底端安置一个底盖，镀膜室的内部安置一 个摇杆式升降机构，摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣， 摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。 【专利类型】实用新型 【申请人】张敬祎; 高秀敏 【申请人类型】个人 【申请人地址】266042山东省青岛市机械研究所 【申请人地区】中国 【申请人城市】青岛市 【申请人区县】市北区 【申请号】CN200820225565.X 【申请日】2008-11-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201390780Y 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201390780Y 【授权公告日】2010-01-27 【授权公告年份】2010.0 【发明人】张敬祎; 高秀敏 【主权项内容】1、一种微波真空金属镀膜装置，它是由等离子室、离子轰击室、过渡 室、镀膜室自上而下依次连接构成，其特征在于等离子室的顶端封盖一个 微波窗，镀膜室的底端安置一个底盖，镀膜室的内部安置一个摇杆式升降 机构，摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣，摇杆式升降 机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。 【当前权利人】张敬祎; 高秀敏 【当前专利权人地址】山东省青岛市机械研究所; 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】3
