【摘要】 本发明大功率LED陶瓷散热基板的制作工艺，包括如下步骤：(1)使铜粉表面形成均匀致密的氧化膜，再与有机载体按固相质量比70～80：20～30混匀，再轧成浆料；(2)在陶瓷基板上将上述浆料印刷或涂敷形成金属导体膜并烘干；(3)烧结：烧结峰值温度为1060～1080℃。本发明制造出的陶瓷基板具有高导电、高导热、高附着力、能够进行二次图形精细加工等优异性能，应用到大功率LED封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。 【专利类型】发明授权 【申请人】淄博市临淄银河高技术开发有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】255400 山东省淄博市临淄区临淄大道432号 【申请人地区】中国 【申请人城市】淄博市 【申请人区县】临淄区 【申请号】CN200810159590.7 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101414654B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101414654B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/48 【发明人】孙桂铖; 李磊 【主权项内容】一种大功率LED陶瓷散热基板的制作工艺，其特征在于包括如下步骤：(1)使铜粉表面形成均匀致密的氧化膜，再与有机载体按固相质量比70～80∶20～30混匀，再轧成浆料，所述有机载体的质量组成为：5～10％乙基纤维素、1～5％三乙醇胺或卵磷脂，用余量松油醇充分溶解；(2)在陶瓷基板上将上述浆料印刷或涂敷形成金属导体膜并烘干；(3)烧结：烧结峰值温度为1060～1080℃。 【当前权利人】淄博市临淄银河高技术开发有限公司 【当前专利权人地址】山东省淄博市临淄区临淄大道432号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91370305613285416N 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
